日媒：中国芯片技术只落后台积电三年

据《日经新闻》报道，日本半导体研究公司 TechanaLye 总裁 Yoji Shimizu 说，中国的芯片技术现在只比台积电（TSM.US）落后三年。

该报告比较了华为 2024 年 4 月推出的 Pura 70 Pro 智能手机使用的中芯国际（00981.HK）生产的麒麟 9010 处理器与台积电 2021 年推出的高端手机使用的麒麟 9000 处理器的电路图。中芯国际的 7 纳米芯片面积为 118.4 平方毫米，而台积电的 5 纳米芯片面积为 107.8 平方毫米，面积相差不大，处理性能基本相同。

一般来说，如果线路线宽变窄，半导体的处理性能就会提高，半导体面积则会变小。它们面积没有太大差异，处理性能也基本相同。

总之，在良品率上存在差距，但从出货的半导体芯片的性能来看，中芯国际的实力已追赶到只比台积电落后3年。

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