中国光刻机迎重大突破 与国外差距还有多大？

9月初，中国工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《指导目录》)。在电子专用装备目录中，集成电路生产装备包括氟化氩GKJ，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

这意味着什么？

中国官宣的最先进光刻机技术达到，分辨率≤65nm、套刻≤8nm光刻机，理论上可以量产28nm级别的芯片，在中低端芯片实现完全自主可控。

实现28nm级别的芯片自主量产，意味着中国制造除手机外的大部分民用芯片已经足够了。

这次突破让中国实现了从0到1的跨越，光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术水平直接影响到芯片的性能和成本。随着相关技术上的不断突破，我国将在芯片生产上实现更多自主权，同时也为其在多个工业领域的应用提供了坚实基础。

与国外差距还有多大？

当然，这次官宣的新款国产氟化氩光刻机属于中端技术水平，跟荷兰阿斯麦的高端光刻机差距还很大，至少要差两代产品，这个要承认的。

有些外行人一看到“套刻≤8nm”就认为这是8nm光刻机，也是令人啼笑皆非。

套刻(overlay )8纳米，指的是在半导体制造过程中，使用光刻机进行多层图案化时，各层之间对准精度的指标。

就是说在制造过程中，需要在硅片的不同层上形成图案时，新一层的图案相对于前一层图案的位置偏差（即套刻误差）不超过8纳米。

分析指出，芯片制造中，套刻精度与量产工艺之间确实存在一定的关系。

一般认为，套刻精度与量产工艺节点之间大约有1:3的关系。即如果套刻精度达到了8纳米，则理论上该光刻机可以支持制造24纳米左右的芯片，意味着28纳米芯片实现了自由。

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